发明名称 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
摘要 【課題】 位相シフトパターンに対して露光光を照射したときに発生する位相シフトパターンの熱膨張が小さく、位相シフトパターンの移動が小さくなるように抑制された位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクを提供することを目的とする。【解決手段】 位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上30%以下の透過率で透過させる機能と、位相シフト膜を透過した露光光に対して位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で150度以上180度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、位相シフト膜は、金属およびケイ素を含有する材料で形成され、透光性基板側から下層と上層が積層した構造を含み、下層は、透光性基板よりも露光光の波長における屈折率nが小さく、上層は、透光性基板よりも露光光の波長における屈折率nが大きく、下層は、前記上層よりも露光光の波長における消衰係数kが大きく、上層は、下層よりも厚さが厚いことを特徴とする。【選択図】図1
申请公布号 JP6058757(B1) 申请公布日期 2017.01.11
申请号 JP20150141317 申请日期 2015.07.15
申请人 HOYA株式会社 发明人 梶原 猛伯;宍戸 博明;野澤 順
分类号 G03F1/32;G03F1/54;G03F1/58 主分类号 G03F1/32
代理机构 代理人
主权项
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