发明名称 掩膜版异物清除方法及掩膜版异物清除装置
摘要 本发明涉及半导体元器件制造技术,尤其涉及掩膜版异物清除方法,包括:提供一具有开孔的掩膜版,其中所述掩膜版具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;将所述掩膜版置于一预定位置;控制第一镭射模块清除所述第一表面的异物及所述开孔中的异物;控制第二镭射模块清除所述第二表面的异物。通过第一镭射模块和第二镭射模块对掩膜版的第一表面和第二表面、开孔分别进行镭射处理,去除掩膜版上的异物。采用此种方式,能够对掩膜版第二表面的异物进行去除,提高AMOLED产品的成品率。
申请公布号 CN106311681A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201510341886.0 申请日期 2015.06.18
申请人 上海和辉光电有限公司 发明人 胡友元
分类号 B08B7/00(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I 主分类号 B08B7/00(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 吴俊
主权项 一种掩膜版异物清除方法,应用于制备AMOLED显示装置,其特征在于,包括:提供一具有开孔的掩膜版,其中所述掩膜版具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;将所述掩膜版置于一预定位置;控制第一镭射模块清除所述第一表面的异物或所述开孔中的异物;控制第二镭射模块清除所述第二表面的异物。
地址 201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室