发明名称 | 具有非易失性存储器单元与参考单元的集成电路 | ||
摘要 | 本发明提供了一种具有阻抗漂移的非易失性存储器单元与参考单元的集成电路。在该集成电路中,阻抗漂移可由更新非易失性存储器单元与参考单元而解决。方法之一包括,进行编程操作且在该编程操作之后,条件得到满足,则进行该更新。存于参考单元内的参考阻抗被更新,感应放大器将之比较于存于一存储器单元内的该阻抗。在一方法中,编程该第一存储器单元后,更新所存储的更新状态,以表示,条件满足后,该第一存储器单元的该第一阻抗与该第一参考单元的该第一参考阻抗被更新。在另一方法中,编程该第一存储器单元后,编程该第一参考单元。 | ||
申请公布号 | CN106328198A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
申请号 | CN201510894630.2 | 申请日期 | 2015.12.08 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
主权项 | 一种集成电路,其特征在于,包括:一第一存储器单元,具有一第一阻抗;一感应放大器电路,包括一第一参考单元,具有一第一参考阻抗;一存储器,存储该第一参考单元的一更新状态;以及一控制电路,编程该第一存储器单元后,更新存于该存储器内的该更新状态以表示一条件满足后,该第一存储器单元的该第一阻抗与该第一参考单元的该第一参考阻抗被更新。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |