| 发明名称 | 具有介电表面波陷波器的导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种导体装置，该导体装置具有导体(3)，该导体(3)沿导体轴线(4)延伸。此外，导体装置具有表面波陷波器(9)，导体(3)与表面波陷波器(9)耦连用于衰减在导体装置外部由高频激励场(F)激励的表面波。表面波陷波器(9)设计成介电振荡装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103972627B | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201410025153.1 | 申请日期 | 2014.01.20 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | S.马蒂厄斯;W.伦兹 |
| 分类号 | H01P3/06(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I;G01R33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01P3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 任宇 |
| 主权项 | 一种导体装置，‑其中，所述导体装置具有沿导体轴线(4)延伸的导体(3)，‑其中，所述导体装置具有表面波陷波器(9)，所述导体(3)与所述表面波陷波器(9)电耦连以便衰减由在所述导体装置外部由高频激励场(F)激发的表面波，其特征在于，所述表面波陷波器(9)设计成介电振荡装置，所述介电振荡装置(9)具有至少两个相互耦合的介电振荡元件(9a，9b)，并且能调节所述介电振荡元件(9a，9b)彼此相对的布置以便将所述介电振荡装置(9)与所述高频激励场(F)的频率(f)相协调。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||