发明名称 液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置
摘要 本发明提供一种液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置,其中方法包括在基板上表面依次层叠振动板、下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极,所述下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极形成压电元件;通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜,所述氮化硅保护膜的内应力为压应力。本发明通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜,氮化硅保护膜的内应力为压应力,所以可以防止墨水接触到压电陶瓷薄膜层,可以更可靠地防止压电陶瓷薄膜层被墨水腐蚀破坏,并且氮化硅保护膜的内应力为压应力,因此可以有效防止振动板的位移量减小。
申请公布号 CN103935127B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201410169239.1 申请日期 2014.04.24
申请人 珠海赛纳打印科技股份有限公司 发明人 陈晓坤;佟鑫
分类号 B41J2/16(2006.01)I 主分类号 B41J2/16(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 刘芳
主权项 一种液体喷头制造方法,其特征在于,包括:在基板上表面依次层叠振动板、下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极,所述下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极形成压电元件;通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜,所述氮化硅保护膜的内应力为压应力;所述等离子体增强化学气相沉积法的反应气体为SiH<sub>4</sub>和NH<sub>3</sub>,载气为惰性气体;其中,SiH<sub>4</sub>和NH<sub>3</sub>的流量比为0.1~4.0;所述氮化硅保护膜的沉积温度为200℃至400℃之间,反应压强为100mTorr至500mTorr之间;射频功率源的功率为100W~300W,频率为50KHz~500KHz;所述氮化硅保护膜的厚度为100nm~400nm;所述氮化硅保护膜的压应力为0.5GPa~2.0GPa,且密度为2.3g/cm<sup>3</sup>~3.0g/cm<sup>3</sup>。
地址 519075 广东省珠海市香洲区珠海大道3883号01栋1楼、2楼、4楼、7楼、02栋、04栋1楼、2楼、3楼、5楼