发明名称 |
一种基于卷曲半导体薄膜的高灵敏度光电探测器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于微纳器件技术领域,具体为一种基于半导体薄膜的高灵敏度光电探测器件及其制备方法。制备方法包括:在衬底上制备有机物牺牲层、半导体薄膜功能层,并且通过沉积参数的控制,使薄膜弯曲成管道结构;在管道结构上制备金属电极。将该结构置于光学辐射环境中,由于管状结构光学微腔中存在着谐振模式,可以显著增强半导体薄膜的光学吸收,从而得到高灵敏度的光电探测器件。该探测器件无角度依赖,灵敏度高,制备方便,在光电转换,夜视成像,环境监测,太空探测等领域具有重要的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104538490B |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201410763321.7 |
申请日期 |
2014.12.14 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
方阳福;黄高山;梅永丰 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种基于半导体薄膜的高灵敏度光电探测器件制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)在基底上按顺序沉积牺牲层和作为功能层的半导体薄膜;(2)利用光刻将半导体薄膜图形化成特定的图形;(3)使用化学腐蚀的方法去除牺牲层,释放薄膜;在预应力梯度作用下,薄膜弯曲成管道结构;(4)在管道结构内外表面沉积上用于信号检测的电极,进行后续加固封装。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |