| 发明名称 | 电子元器件传送装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电子元器件难以堵塞于传送路径的电子元器件传送装置。第1磁力发生部(24a)设置于中游部(23b)的第1侧壁(22a)的侧方。中游部(23b)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔比上游部(23a)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔及下游部(23c)的第1侧壁(22a)和第2侧壁(22b)的间隔要大。第1侧壁22b平坦地通过上游部(23a)、中游部(23b)、下游部(23c)。 | ||
| 申请公布号 | CN106315178A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610513658.1 | 申请日期 | 2016.07.01 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 角方胜;田中尚登;三井肇 |
| 分类号 | B65G47/24(2006.01)I | 主分类号 | B65G47/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 干欣颖 |
| 主权项 | 一种电子元器件传送装置，其特征在于，包括：传送路径；以及第1磁力发生部，所述传送路径包含上游部、与所述上游部相连接的中游部及与所述中游部相连接的下游部，所述传送路径包含通过所述上游部、所述中游部、所述下游部的底面、第1侧壁、及第2侧壁，所述第1侧壁和所述第2侧壁隔着间隔相对，所述第1磁力发生部设置于所述中游部的所述第1侧壁的侧方，所述中游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔比所述上游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔、及所述下游部的所述第1侧壁和所述第2侧壁的间隔要大，所述第1侧壁平坦地通过所述上游部、所述中游部、所述下游部。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||