一种硅基准三维纳米结构有序阵列及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硅基准三维纳米结构有序阵列及其制备方法，所述的准三维纳米结构为纳米级的两头大中间小的柱状结构，所述的柱状结构的两头的直径和柱状结构的中间的直径的比例为3~20：1。与现有的硅基纳米有序结构阵列相比，本发明的硅基准三维纳米结构有序阵列具有更复杂的准三维结构，该结构高度有序、高度精密、尺寸极小、结构可控，具有特殊的光学、电学性质，在电子信息、太阳能电池、生化传感等领域有重要价值；本发明通过调整反应离子刻蚀工艺，实现了结构更复杂的硅基准三维纳米结构有序阵列的制备，并能可控地调节纳米结构的尺寸；本发明提供的硅基准三维纳米结构有序阵列，在光电器件、传感芯片等方面具有广阔的应用前景。

主权项

一种硅基准三维纳米结构有序阵列，其特征在于，所述的准三维纳米结构为纳米级的两头大中间小的柱状结构。