| 发明名称 | 功率二极管装置的处理方法及设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种功率二极管装置的处理方法，包括以下步骤：首先，提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；接着，将经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；最后，将经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品进行一第二次清洗步骤。采用本发明的处理方法，可大幅提升功率二极管表面的微粒污染的清除效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106328487A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510332997.5 | 申请日期 | 2015.06.16 |
| 申请人 | 朋程科技股份有限公司 | 发明人 | 曾庆伟;黄春雄;周致宏;林曦;吴欣航 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李昕巍;赵根喜 |
| 主权项 | 一种功率二极管装置的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括以下步骤：提供经干式蚀刻后的至少一功率二极管装置半成品；将经干式蚀刻后的至少一所述功率二极管装置半成品置于一高挥发性溶剂中，并进行一双频超声波的震荡清洗步骤，以去除经干式蚀刻后的至少一所述功率二极管装置半成品上残留的干式蚀刻的污染物；以及将经双频超声波的震荡清洗后的至少一所述功率二极管装置半成品进行一第二次清洗步骤。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||