一种压电双极型晶体管

摘要

本发明公开了一种压电双极型晶体管，其包括依次设置在半导体基板上的为n型的发射区、为p型的基区和为n型的集电区；基区为压电半导体，发射区的掺杂浓度高于基区的掺杂浓度；基区与集电区之间的形成有一npn结或pnp结；该压电双极型晶体管采用npn结或pnp结的结构，与现有技术中压电半导体pn结相比，能够在相同的应变下产生更大的电流增益，进而增大其信号的输出，从而大幅度提高应变传感灵敏度，可提高3到4个量级，或在同比灵敏度下大幅降低器件功耗，降低3‑4个量级；其基区为压电半导体，可通过向压电半导体施加外界应变力，在基区产生压电电荷，调控基区集电结多子空穴的浓度，增大晶体管的输出电流的变化，进而提高可控电流的灵敏度。

主权项

一种压电双极型晶体管，其特征在于：包括依次设置在半导体基板上的为n型的发射区、为p型的基区和为n型的集电区；所述基区为压电半导体，所述发射区的掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度；所述基区与集电区之间的形成有一npn结或pnp结。