基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括外延层以及与外延层配合的源极、漏极和栅极，所述外延层包括异质结构，所述异质结构包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体上依次形成有第一、第二盖帽层，所述第一盖帽层能够通过电离施主产生电荷以补偿所述第二半导体的表面受主能级，所述第二盖帽层能够减少或防止所述外延层表面产生自然氧化层及悬挂键。本发明通过在HEMT器件结构中设置双层盖帽层结构，可以有效抑制器件的电流崩塌以及大幅提高器件的阈值稳定性，实现高性能Ⅲ族氮化物HEMT器件，同时工艺过程简单，成本低廉，无二次外延的要求，与现有的器件制造工艺兼容。

主权项

一种基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括外延层以及与外延层配合的源极、漏极和栅极，所述外延层包括异质结构，所述异质结构包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙；其特征在于：所述外延层还包括依次形成在第二半导体上的第一盖帽层和第二盖帽层，所述第一盖帽层能够通过电离施主产生电荷以补偿所述第二半导体的表面受主能级，所述第二盖帽层能够减少或防止所述外延层表面产生自然氧化层及悬挂键。