| 发明名称 | 一种在工件上制造微纳米级防伪图文商标的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在工件上制造微纳米级防伪图文商标的方法，包括：把工件固定在旋转工件台上，表面完整涂上光刻胶；敷上掩模板，该掩模板上带有要形成的防伪图文商标的图案；透过掩模板对光刻胶进行紫外线照射；对光刻胶进行显影和曝光；清洗光刻胶后光刻胶上留下了要形成的防伪图文商标的图案；将工件台装入真空仓，抽取真空；产生等离子体；等离子体经引出、成束、加速、中和形成离子束；利用所述离子束轰击工件，则工件上暴露的部分溅射出金属原子从而形成防伪图文商标，所述离子束的能量为200～1000eV，溅射时间为5分钟至30分钟；将工件取出并清洗光刻胶。本发明公开的方法能够制造微纳米级防伪图文商标。 | ||
| 申请公布号 | CN106328470A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610794411.1 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 | 发明人 | 刁克明 |
| 分类号 | H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人 | 周娇娇;谭辉 |
| 主权项 | 一种在工件上制造微纳米级防伪图文商标的方法，包括：把工件固定在旋转工件台上，表面完整涂上光刻胶；敷上掩模板，该掩模板上带有要形成的防伪图文商标的图案；透过掩模板对光刻胶进行紫外线照射；对光刻胶进行显影和曝光；清洗光刻胶后光刻胶上留下了要形成的防伪图文商标的图案；将工件台装入真空仓，抽取真空；产生等离子体；等离子体经引出、成束、加速、中和形成离子束；利用所述离子束轰击工件，则工件上暴露的部分溅射出金属原子从而形成防伪图文商标，所述离子束的能量为200～1000eV，溅射时间为5分钟至30分钟；将工件取出并清洗光刻胶。 | ||
| 地址 | 100071 北京市丰台区小屯路150号 | ||