一种晶体硅太阳能电池制造工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，所述工艺包括：半成品硅片制作；将制作好的所述半成品硅片进行去除损伤层；将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化；将表面绒面化后的电池片进行发射区扩散处理；将发射区扩散处理后的电池片进行边缘结刻蚀处理；将边缘结刻蚀处理后的电池片进行PECDV沉积SIN处理；将PECDV沉积SIN处理后的电池片进行丝网印刷正背面电极浆料处理；将印刷正背面电极浆料后的电池片进行共烧形成金属接触；将形成金属接触后的电池片进行测试，实现了能够减少硅片表面掺杂浓度，降低扩散后死层厚度，提高少子寿命，同时可以减小PN结的结深，增强太阳能电池的短波响应，提高太阳能电池的转换效率的技术效果。

主权项

一种晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述工艺包括：半成品硅片制作；将制作好的所述半成品硅片进行去除损伤层；将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化；将表面绒面化后的电池片进行发射区扩散处理；将发射区扩散处理后的电池片进行边缘结刻蚀处理；将边缘结刻蚀处理后的电池片进行PECVD沉积SiN处理；所述将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化，具体为采用激光刻槽进行绒面处理，采用激光刻槽在多晶硅表面制作倒金字塔结构；所述工艺还包括：采用电子束蒸发和电镀的方式制作金属化电极，所述采用电子束蒸发和淀积的方式制作金属化电极具体包括：首先蒸发Ti/Pa层，然后再蒸发银层；采用隧道结接触的方法，在硅和金属钛层间形成厚度为20微米的氧化层；氧化层上开出窗口，再淀积金属栅线，形成电极。