| 发明名称 | 约束功率半导体器件的安全工作区轨迹的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于在功率半导体器件的工作期间约束该功率半导体器件的安全工作区(SOA)轨迹的方法，所述功率半导体器件位于电源和负载之间，该方法包括：获取负载两端的电压测量值(V<sub>LOAD</sub>)；选择标量，以缩放所获取的负载两端的电压测量值(V<sub>LOAD</sub>)；以及根据由该标量与在负载两端获取的电压测量值(V<sub>LOAD</sub>)的乘积来借助控制电路构造用于控制该功率半导体器件控制电压，从而约束该功率半导体的输出电压。 | ||
| 申请公布号 | CN104122921B | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201410286170.0 | 申请日期 | 2014.04.23 |
| 申请人 | 罗伯特·博世(澳大利亚)私人有限公司 | 发明人 | T·罗科 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;陈松涛 |
| 主权项 | 一种在功率半导体器件的工作期间对所述功率半导体器件的安全工作区SOA轨迹进行约束的方法，所述功率半导体器件位于电源和负载之间，所述方法包括：获取所述负载两端的电压测量值V<sub>LOAD</sub>；选择标量，以缩放在所述负载的两端获取的所述电压测量值V<sub>LOAD</sub>；以及根据所述标量与在所述负载的两端获取的所述电压测量值V<sub>LOAD</sub>的乘积来利用控制电路构造用于控制所述功率半导体器件的控制电压，从而约束所述功率半导体器件的输出电压，其中，选择在所述控制电路中的位于所述功率半导体器件的输出电极和所述功率半导体器件的控制电极之间的第一阻抗R<sub>1</sub>以及选择在所述控制电路中的位于所述负载的输出和所述功率半导体器件的所述控制电极之间的第二阻抗R<sub>2</sub>，以形成标量。 | ||
| 地址 | 澳大利亚维多利亚州 | ||