发明名称 |
一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺 |
摘要 |
本发明提供了一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺,所述设备包括:与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈,所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部,所述基座位于溅射腔室的底部,所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁,靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体,产生等离子体。由于该设备增加了侧置线圈及与其相连接的射频电源,并通过调节惰性气体压力,提高了等离子体密度,结合PVD溅射的其他工艺参数,能形成电学性能良好,并且在沟槽表面覆盖效果良好的薄膜,可延续溅射沉积工艺应用到22纳米及以下技术的后栅工艺中。 |
申请公布号 |
CN106319460A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201510375208.6 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
高建峰;唐兆云;殷华湘;李俊峰;赵超 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京维澳专利代理有限公司 11252 |
代理人 |
党丽;江怀勤 |
主权项 |
一种金属薄膜溅射的PVD设备,其特征在于,包括:与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈,所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部,所述基座位于溅射腔室的底部,所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁,靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体,产生等离子体。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |