高电压阈值器件的传输门及其后续下拉电路结构

摘要

本发明提供一种传输门及其下拉电路结构，包括并联在信号输入端和信号输出端之间的第一NMOS晶体管和PMOS晶体管，其中所述PMOS晶体管的衬底连接到电源电压且所述第一NMOS晶体管的衬底连接到地，所述第一NMOS晶体管连接到第一信号针，PMOS晶体管的栅极连接到第二信号针，其特征在于：第一NMOS晶体管为本征NMOS晶体管，且包括串联在信号输出端与地之间的栅极与漏极直连的第二NMOS晶体管以及第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的栅极连接到第二信号针。本发明针对高电压阈值器件电路，能够使得具有本征NMOS晶体管的传输门电路即使在较低的电源电压下且输入信号为不满幅的情况下保持在上升沿和下降沿顺利导通，有效地发挥逻辑功能。并且，添加栅漏直连的NMOS晶体管的下拉电路能够在较大的电源电压范围内有效地减少漏电流。

主权项

一种传输门及其下拉电路结构，包括并联在信号输入端和信号输出端之间的第一NMOS晶体管和PMOS晶体管，以及信号输出端与地之间的第二NMOS晶体管，其中所述PMOS晶体管的衬底连接到电源电压且所述第一NMOS晶体管的衬底连接到地，所述第一NMOS晶体管的栅极连接到第一信号针，所述PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅极连接到第二信号针，其特征在于：所述第一NMOS晶体管为本征NMOS晶体管。