发明名称 一种可编程控制熔断电路
摘要 本实用新型公开了一种可编程控制熔断电路,包括偏置电路、逻辑转换电路、译码电路和熔丝调整电路,其特征在于,所述偏置电路根据输入信号使能端口电压和双向端口电压的波形产生至少一个逻辑电压信号,其输出端与逻辑转换电路的输入端相连,采用复用端口;所述逻辑转换电路根据至少一个所述的逻辑电压信号产生一个预译码逻辑电压信号,其输出端与译码电路的输入端相连。本实用新型使用到了端口复用,减少了电路所占用面积,而且熔丝位的熔断是可编程的,可以在封装后根据给定不同的输入信号熔断目标熔丝位。
申请公布号 CN205883185U 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201620624100.6 申请日期 2016.06.22
申请人 西安电子科技大学 发明人 方建平;郑宜嘉
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 代理人 贾晓玲
主权项 一种可编程控制熔断电路,包括偏置电路、逻辑转换电路、译码电路和熔丝调整电路,其特征在于,所述偏置电路包括:第一NMOS管MN<sub>1</sub>、第二NMOS管MN<sub>2</sub>、第三NMOS管MN<sub>3</sub>、第四NMOS管MN<sub>4</sub>、第五NMOS管MN<sub>5</sub>、第一PMOS管MP<sub>1</sub>、第二PMOS管MP<sub>2</sub>、第三PMOS管MP<sub>3</sub>、第四PMOS管MP<sub>4</sub>、第五PMOS管MP<sub>5</sub>、基准电流源I、第一触发器SMT<sub>1</sub>、第二触发器SMT<sub>2</sub>、第三触发器SMT<sub>3</sub>、第一反向器INV<sub>1</sub>、第二反向器INV<sub>2</sub>、第三反向器INV<sub>3</sub>;基准电流源I的一端连接第一NMOS管MN<sub>1</sub>的漏极和栅极、第二NMOS管MN<sub>2</sub>的栅极、第三NMOS管MN<sub>3</sub>的栅极、第四NMOS管MN<sub>4</sub>的栅极和第五NMOS管MN<sub>5</sub>的栅极,另一端连接第一PMOS管MP<sub>1</sub>的栅极、第二PMOS管MP<sub>2</sub>的源级和第五PMOS管MP<sub>5</sub>的源级;第一NMOS管MN<sub>1</sub>的源端连接第二NMOS管MN<sub>2</sub>的源级、第三NMOS管MN<sub>3</sub>的源级、第四NMOS管MN<sub>4</sub>的源级、第五NMOS管MN<sub>5</sub>的源级和地GND;第一PMOS管MP<sub>1</sub>的源级连接输入端VOUT,第一PMOS管MP<sub>1</sub>的漏极连接第一触发器SMT<sub>1</sub>的输入端和第二NMOS管MN<sub>2</sub>的漏端;第二PMOS管MP<sub>2</sub>的栅极连接第二PMOS管MP<sub>2</sub>的漏极和第三PMOS管MP<sub>3</sub>的源级;第三PMOS管MP<sub>3</sub>的栅极连接第 三PMOS管MP<sub>3</sub>的漏极、第四PMOS管MP<sub>4</sub>的栅极和第三NMOS管MN<sub>3</sub>的漏极;第四PMOS管MP<sub>4</sub>的源级连接输入端EN和第五PMOS管MP<sub>5</sub>的源级,第四PMOS管MP<sub>4</sub>的漏级连接第二触发器SMT<sub>2</sub>的输入端和第四NMOS管MN<sub>4</sub>的漏极;第五PMOS管MP<sub>5</sub>的漏极连接第三触发器SMT<sub>3</sub>的输入端和第五NMOS管MN<sub>5</sub>的漏极;第一触发器SMT<sub>1</sub>的输出端连接第一反相器INV<sub>1</sub>的输入端;第二触发器SMT<sub>2</sub>的输出端连接第二反相器INV<sub>2</sub>的输入端;第三触发器SMT<sub>3</sub>的输出端连接第三反相器INV<sub>3</sub>的输入端;第一反相器INV<sub>1</sub>的输出端连接输出端V<sub>1</sub>;第二反相器INV<sub>2</sub>的输出端连接输出端V<sub>2</sub>;第三反相器SMT<sub>3</sub>的输出端连接输出端V<sub>3</sub>;所述VOUT在电路中是复用端口。
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