| 摘要 |
서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 흡광층을 포함하고, 상기 흡광층은 두께 방향을 따라 상기 제1 전극에 가까운 제1 영역, 상기 제2 전극에 가까운 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 제3 영역을 포함하고, 상기 제3 영역의 n형 반도체에 대한 p형 반도체의 조성비(p/n)는 상기 제1 영역의 n형 반도체에 대한 p형 반도체의 조성비(p/n)와 상기 제2 영역의 n형 반도체에 대한 p형 반도체의 조성비(p/n)보다 크거나 작은 유기 광전 소자, 이를 포함하는 이미지 센서 및 전자 장치에 관한 것이다. |
