| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明的技术方案能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。 | ||
| 申请公布号 | CN106328592A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610970462.5 | 申请日期 | 2016.10.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 朱夏明 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 刘伟;张博 |
| 主权项 | 一种互补型薄膜晶体管的制作方法，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||