| 发明名称 | 一种形成MIS结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成MIS结构的方法，包括：第一步骤：对硅衬底进行离子注入以及热退火形成N型阱或者P型阱；第二步骤：在暴露的硅衬底表面生长SiO<sub>2</sub>层；第三步骤：在SiO<sub>2</sub>层上依次生长金属Ti层和TiN层；第四步骤：在暴露SiO<sub>2</sub>层的凹槽中填充钨塞，然后对钨塞、金属Ti层和TiN层进行平坦化处理。 | ||
| 申请公布号 | CN106328509A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610790816.8 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 刘英明 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种形成MIS结构的方法，其特征在于包括：第一步骤：对硅衬底进行离子注入以及热退火形成N型阱或者P型阱；第二步骤：在暴露的硅衬底表面生长SiO<sub>2</sub>层；第三步骤：在SiO<sub>2</sub>层上依次生长金属Ti层和TiN层；第四步骤：在暴露SiO<sub>2</sub>层的凹槽中填充钨塞，然后对钨塞、金属Ti层和TiN层进行平坦化处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||