发明名称 一种工业CT机X射线管用透射靶及其制备方法
摘要 一种工业CT机X射线管用透射靶及其制备方法,有钨/铝靶和钨/金刚石靶两种类型。所述的钨‑铝靶包括靶面(1)和铝基体(201);所述的钨‑金刚石靶包括靶面(1)、金刚石基体(5)和铝支撑架(202);所述的靶面(1)为圆形的钨薄膜;所述的铝基体(201)和金刚石基体(5)均为圆形薄片;所述的钨‑金刚石靶的铝支撑架(202)的中心开有一个通孔,所述的金刚石基体(5)放置在铝支撑架(202)的中心通孔内,与铝支撑架(202)焊接在一起;所述的靶面(1)采用磁控溅射方法镀在铝基体(201)表面或金刚石基体(5)表面。
申请公布号 CN104409304B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201410652918.4 申请日期 2014.11.17
申请人 中国科学院电工研究所 发明人 马玉田;刘俊标;韩立;霍荣岭
分类号 H01J35/08(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I 主分类号 H01J35/08(2006.01)I
代理机构 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人 关玲
主权项 一种工业CT机X射线管用钨‑铝透射靶的制备方法,所述的钨‑铝透射靶包括靶面(1)和铝基体(201);所述的靶面(1)为圆形的钨薄膜;所述的铝基体(201)为圆形薄片;所述的铝基体(201)的中心有一个不通孔,所述钨薄膜的靶面(1)通过磁控溅射方法镀在铝基体(201)的不通孔的凹面上;所述的铝基体(201)表面中心开有一个O型密封槽(4);所述的密封槽(4)与铝基体(201)的中心共圆心,其特征在于所述的工业CT机X射线管用钨‑铝透射靶的制备方法包括以下步骤:1)清洗铝基体和钨靶材:将铝基体用丙酮浸泡2‑4h去油,再用工业乙醇超声波清洗1‑2h,清洗完毕置于干燥皿中备用;将钨靶材用丙酮浸泡1‑2h去油,再用工业乙醇超声波清洗0.5‑1h,清洗完毕置于干燥皿中备用;2)镀膜前预处理:将铝基体通过掩膜装架放在磁控溅射设备的片架上,放入溅射装置的真空腔体内,抽真空至4×10<sup>‑4</sup>Pa时,通入氩气,并动态维持0.6‑1Pa;打开溅射电源,将钨靶材预溅射3‑5分钟,去除钨靶材表面的氧化物和污染物;3)镀膜:控制溅射功率、时间和铝基体温度,溅射功率为100‑150W,溅射时间为3‑6h,铝基体温度控制在400‑500℃范围内,溅射沉积钨薄膜靶面厚度为2‑8μm;4)钨薄膜靶面溅射沉积完毕后,关闭溅射源,继续抽真空,并通入氩气作为保护气体,待逐渐冷却到室温,即得到钨‑铝透射靶。
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