发明名称 |
无源集成转接板的制作方法及所对应的无源集成转接板 |
摘要 |
本发明公开了一种无源集成转接板的制作方法及所对应的无源集成转接板。本发明通过先采用前道工艺在转接板的第一表面侧制作无源模块及无源模块的第一互联结构,由于前道工艺的光刻参数精准,工艺严格,可以制作出精度高和可靠性好的无源模块,同时采用高阻的转接板材料,制作的无源模块可以满足高Q低损耗;再通过采用后道工艺在转接板的第一表面侧制作用于与外部连接的第一凸点以及在转接板的第二表面侧完成通孔的制作和用于与外部连接的第二凸点,这种集成无源模块和通孔连接的方法既可以保证无源模块的性能优良,又可以降低集成成本。 |
申请公布号 |
CN103956326B |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201410179187.6 |
申请日期 |
2014.04.29 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
王惠娟 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
路凯;胡彬 |
主权项 |
一种无源集成转接板的制作方法,其特征在于,包括:采用前道工艺,在转接板的第一表面上形成第一绝缘层;采用前道工艺,在第一绝缘层中形成无源模块及无源模块的第一互联结构,其中,第一互联结构包括第一金属电极;采用后道工艺,在所述第一绝缘层上形成第一钝化层和第一凸点,其中,所述第一凸点与所述第一金属电极直接接触;将所述转接板倒置,从与所述第一表面相对的第二表面将所述转接板减薄至预定的厚度,并从减薄后的所述转接板的第二表面沿纵向刻蚀所述转接板、所述第一绝缘层至所述第一金属电极,形成通孔;在所述通孔中形成第二互联结构;在所述第二表面上形成包括第三互联结构的互联层以及在所述互联层上形成第二钝化层和第二凸点,其中,所述第二凸点与所述第三互联结构直接接触。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |