制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯

摘要

本发明涉及制造石墨烯的方法及通过所述方法制造的石墨烯。更特别地，公开了一种用于生长具有高品质的石墨烯的制造石墨烯的方法，以及通过所述方法制造的石墨烯。所述方法包括准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层以及在所述金属层上形成石墨烯。

主权项

一种制造石墨烯的方法，包括：准备热膨胀补偿基底；在所述热膨胀补偿基底上形成金属层；以及在所述金属层上形成石墨烯，其中所述热膨胀补偿基底包含热膨胀控制物质，以及其中所述热膨胀控制物质包含碳化硅(SiC)、石墨、石墨烯、碳纳米管、金刚石、M₂B₃O₁₂、AX₂O₈和A₂P₂WO₁₂中的至少一种，其中M表示Al、Sc、In、Y、Zr、Hf或镧系金属，B表示W、Mo或P，X表示W或Mo，且A表示Zr或Hf。