一种纳米棒单层自组装的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米棒自组装结构的制备方法，具体涉及CdSe/CdS纳米棒单层自组装的制备方法，将CdSe/CdS纳米棒溶液通过滴涂的方法涂到透射电子显微镜观测用的包敷碳膜的铜网上，然后通过热退火技术实现CdSe/CdS纳米棒在碳膜基底上的自组装。相比其它自组装方法，热退火的自组装方法不但工艺简单，而且无需模板等复杂的辅助仪器，适合于大面积制备超晶格结构；更重要的是，该方法在自组装的过程中可以部分去除纳米棒表面所包覆的有机绝缘分子，从而提高了纳米棒的导电性。本发明的优点是：方法新颖简单、成本低、操作步骤简单，它克服了已有技术未能得到大面积制备单层自组装的纳米棒的缺陷，因而在纳米晶光电器件领域有良好的应用前景。

主权项

一种制备CdSe/CdS纳米棒单层自组装的方法，其特征在于它通过下述步骤实现：一、采用种子生长法合成制备特定尺寸的CdSe/CdS纳米棒，并分散在甲苯溶剂中；二、经甲醇和离心清洗处理后，将CdSe/CdS纳米棒在甲苯溶剂中充分分散，避免团聚，形成一定浓度CdSe/CdS纳米棒的分散溶液；三、通过滴涂的方法将一定容量的CdSe/CdS纳米棒的分散溶液涂到固体衬底上，实现CdSe/CdS纳米棒薄膜的沉积；四、通过调控退火的温度和时间，实现可控的纳米棒阵列自组装到固体衬底上。