| 发明名称 | QLED及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种QLED，包括依次设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和第二电极，所述发光层由量子点发光材料和混合传输材料制成，所述混合传输材料为空穴传输材料和电子传输材料，且所述空穴传输材料和电子传输材料在所述发光层中形成双连续网络结构，所述量子点发光材料分散在所述双连续网络结构中。 | ||
| 申请公布号 | CN106328822A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610942368.9 | 申请日期 | 2016.11.01 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 黄志云 |
| 主权项 | 一种QLED，包括依次设置的第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和第二电极，其特征在于，所述发光层由量子点发光材料和混合传输材料制成，所述混合传输材料为空穴传输材料和电子传输材料，且所述空穴传输材料和电子传输材料在所述发光层中形成双连续网络结构，所述量子点发光材料分散在所述双连续网络结构中。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||