| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME |
| 摘要 |
반도체 디바이스 구조물을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 기판 위에 유전체층을 형성하는 단계를 포함한다. 유전체층은 유전체층을 관통하는 트렌치를 갖는다. 방법은 트렌치 내에 게이트 스택을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 게이트 스택 위에 수소 함유 플라즈마 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 방법은 게이트 스택 및 유전체층에 의해 둘러싸인 제 1 리세스를 형성하기 위해 게이트 스택의 상부 부분을 제거하는 단계를 포함한다. 방법은 제 1 리세스를 충전하기 위해 제 1 리세스 내에 캡층을 형성하는 단계를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20170004806(A) |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
| 申请号 |
KR20150175963 |
申请日期 |
2015.12.10 |
| 申请人 |
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
发明人 |
우 포치;창 차웨이;차오 이청;창 야랜;리 정주이 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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