存储器单元阵列及其形成方法和驱动方法

摘要

一种存储器单元阵列及其形成方法和驱动方法，所述存储器单元阵列包括：半导体衬底，包括：第一有源区、第二有源区、隔离结构；第一有源区上的存储器单元包括：第一存储单元、第二存储单元、第一存储单元和第二存储单元之间的选择栅、位于第二存储单元一侧的第二有源区内的源极、位于第一存储单元另一侧的第一有源区内的漏极；平行排列的位线，同一个第一有源区上的存储器单元的漏极与同一位线连接；平行排列的第一控制线、第二控制线和字线，同一行的第一存储单元与同一根第一控制线连接，同一行的第二存储单元与同一根第二控制线连接，同一行的选择栅与同一根字线连接。所述存储器单元阵列可以降低读取操作时的能耗，提高读取效率。

主权项

一种存储器单元阵列，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：若干平行排列的第一有源区、与第一有源区垂直的若干平行排列的第二有源区、包围所述第一有源区和第二有源区的隔离结构；位于相邻第二有源区之间的单个第一有源区上的两个存储器单元，所述两个存储器单元按矩阵排列，所述存储器单元包括：沿第一有源区长度方向排列的第一存储单元和第二存储单元，所述第二存储单元位于第一有源区上靠近第二有源区一侧、位于第一存储单元和第二存储单元之间的选择栅、位于所述第二存储单元一侧的第二有源区内的源极、位于所述第一存储单元另一侧的第一有源区内的漏极；若干平行排列的位线，位于同一个第一有源区上的存储器单元的漏极通过金属互连结构与同一位线连接；若干平行排列的第一控制线、第二控制线和字线，位于同一行的存储单元的第一存储单元通过金属互连结构与同一根第一控制线连接，位于同一行的存储器单元的第二存储单元通过金属互连结构与同一根第二控制线连接，位于同一行存储器单元的选择栅通过金属互连结构与同一根字线连接。