半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括，在半导体衬底的鳍部上方形成有且呈堆叠结构的多层沟道结构，沟道结构包括沟道绝缘层和位于沟道绝缘层上的沟道层；在多层沟道结构上方形成有横跨多层沟道结构的多个漏极结构，多个漏极结构与多层沟道层一一对应，且一个漏极结构覆盖一个沟道层的侧壁。半导体器件的结构应用在NAND存储器中，多层沟道结构中一层沟道层用于形成一个存储器单元，具有呈层叠的沟道层结构可在相同的工艺尺寸条件下增加NAND存储器的密度，从而提高半导体器件持续数据密度提升能力，进而解决现有工艺中，为了增加NAND存储器密度而减小器件尺寸，而导致相邻NAND存储器之间性能互相干扰的问题。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；凸起于半导体衬底表面的鳍部；位于所述鳍部上、且呈堆叠结构的多层沟道结构，所述沟道结构包括沟道绝缘层和位于所述沟道绝缘层上的沟道层；多层沟道结构中的多层沟道层沿所述鳍部的延伸方向的长度由下至上依次递减，使所述多层沟道层沿所述鳍部的延伸方向呈阶梯状结构；横跨所述多层沟道结构的多个漏极结构；所述多个漏极结构沿所述鳍部延伸方向排列，相邻两个漏极结构间形成有间隔；所述多个漏极结构与多层沟道层一一对应，且一个所述漏极结构覆盖一个所述沟道层的侧壁；横跨所述多层沟道结构，且位于所述多个漏极结构一侧的栅极，所述栅极覆盖各沟道层的侧壁；横跨所述多层沟道结构、且位于所述栅极远离所述多个漏极结构一侧的源极结构，所述源极结构覆盖各沟道层的侧壁。