发明名称 |
高压自供电电路 |
摘要 |
本发明提供一种高压自供电电路,所述高压自供电电路包括:JFET调整管、限流电阻、第一开关管、第二开关管、稳压电容、控制电路、以及功率MOS管。本发明与传统的高压供电电路相比,采用了一种新颖的高压自供电电路结构及方法,芯片省去了VCC供电引脚,外围电路更为精简,节省了高压启动电阻和稳压电容,系统成本低,体积小。电路内部省去了钳位二极管和调制电路,电路结构简单,可靠性高,芯片面积大幅缩减,芯片成本及系统成本大大降低。进一步地,带有限流功能的高压自供电电路,在系统建立过程中充电电流受到限制,电流值能够保持恒定,VDD电压线性上升,有效防止了上电过程中的过冲现象及电流过大对器件造成的损伤。 |
申请公布号 |
CN106329959A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201510373860.4 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
华润矽威科技(上海)有限公司 |
发明人 |
李国成;尤勇;闾建晶;徐勇;李进;卢圣晟;王雷一;罗丙寅;林昌全;吴传奎 |
分类号 |
H02M7/217(2006.01)I;H05B37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/217(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
罗泳文 |
主权项 |
一种高压自供电电路,其特征在于,所述高压自供电电路包括:JFET调整管、限流电阻、第一开关管、第二开关管、稳压电容、控制电路、以及功率MOS管,其中:所述JFET调整管的栅极和衬底接地,漏极接功率MOS管的第二极,源极接限流电阻的第一端和第二开关管的第二极;所述限流电阻的第二端接第一开关管的第二极和第二开关管的栅极;所述第一开关管的栅极由控制电路控制,第一极和衬底接地;所述第二开关管的第二极和衬底为接VDD电压,并接稳压电容的第一极板;所述稳压电容的第二极板接地;所述控制电路由VDD供电,并受系统环路调制,其第一输出端用于控制功率MOS管的工作状态,同时所述控制电路检测VDD电压值,其第二输出端用于控制第一开关管的工作状态;所述功率MOS管的栅极连接所述控制电路的第一输出端,第二极与JFET调整管的漏极相连接,第一极和衬底接地。 |
地址 |
201103 上海市闵行区紫秀路100号4幢(即A栋)9-10楼 |