复合左右手结构宽带移相器

摘要

本发明提供一种复合左右手结构宽带移相器，从下之上依次包括背面覆铜层、介质基板、正面电路，正面电路包括P1区、P2区、P3区，P2区包括两个复合左右手结构移相单元，每个单元包括中间的交指部分、焊盘、金属化通孔，两个复合左右手结构移相单元之间通过右手传输线连接；P1区是威尔金森功分器，威尔金森功分器的两个输出端分别连接P2区和P3区，隔离电阻跨接在P2区和P3区之间；P3区是右手传输线移相单元，右手传输线移相单元为右手传输线，P3区输出端口port3和P2区的输出端口port2对齐；本发明含有新型的复合左右手移相单元，与传统移相器相比，能够实现宽带移相，如果采用MEMS技术的话，该结构移相器可以微型化运用于薄膜集成电路。

主权项

一种复合左右手结构宽带移相器，其特征在于：从下之上依次包括背面覆铜层、介质基板、正面电路，所述正面电路包括P1区、P2区、P3区：P2区包括两个复合左右手结构移相单元，每个单元包括中间的交指部分、交指部分两端的焊盘、焊盘上的金属化通孔，两个复合左右手结构移相单元之间通过右手传输线连接，两复合左右手结构移相单元之间的右手传输线长度为L；P1区是威尔金森功分器，包括隔离电阻，威尔金森功分器的两个输出端分别连接P2区和P3区，隔离电阻跨接在P2区和P3区之间用于增加P2和P3的隔离度；P3区是右手传输线移相单元，所述右手传输线移相单元为右手传输线，P3区输出端口port3和P2区的输出端口port2对齐；且3个区的移相度数需满足：Φ_ph＝Φ_CRLH‑Φ_RH    (1)其中，Φ_ph为本发明的移相器总的移相度数，Φ_CRLH为P2区的总移相度数，Φ_RH为P3区的移相度数；P2区的总移相度数Φ_CRLH通过下述公式得到：Φ_CRLH＝Φ_CRLH1+Φ_L+Φ_CRLH2    (2)其中，Φ_CRLH为P2区的总移相度数，Φ_CRLH1是第一个复合左右手结构移相单元的移相度数；Φ_CRLH2是第二个复合左右手结构移相单元的移相度数；Φ_L为P2区的长度为L的右手传输线的移相度数；L通过下式计算得到：$L=\frac{{\Phi }_L}{2\pi }{\lambda }_g---\left(3\right)$其中，λ_g为P2区里的右手传输线里的波导波长；P3区的右手传输线的总物理长度L_RH通过下式计算得到：$L_{RH}=\frac{{\Phi }_{RH}}{2\pi }{\lambda }_g---\left(4\right)$其中，Φ_RH为P3区的移相度数；λ_g为P3区里的右手传输线里的波导波长。