一种Fe或者Fe氧化物纳米粒子图案化分布生长的制备方法

摘要

本发明公开一种Fe或者Fe氧化物纳米粒子图案化分布生长的制备方法，利用氢化非晶硅材料的光电特性和电化学的方法，以投影仪作为诱导光源，照射到氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜‑ITO透明导电玻璃基底背面，在氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面形成光‑电场，在光‑电场的作用下，通过电化学技术，获得不同尺寸、不同形貌的Fe或者Fe氧化物纳米粒子，根据光场分布的改变，使氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面的电场分布发生改变，从而控制粒子图案化分布生长。

主权项

一种Fe或者Fe氧化物纳米粒子图案化分布生长的制备方法，其特征在于：利用氢化非晶硅(a‑Si:H)的光电特性，光源经过容器和溶液照射到氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜‑ITO透明导电玻璃基底背面，光透过ITO透明导电玻璃基底背面照射到氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜背面，氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜在光场的作用下产生电子，形成光‑电场，再利用光‑电场的作用，通过电化学技术，获得不同尺寸、不同形貌的Fe或者Fe氧化物纳米粒子，根据光场分布的改变，使氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜表面的电场分布发生改变，从而控制Fe或者Fe氧化物纳米粒子图案化分布生长。