发明名称 一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明涉及光伏电池,特别是涉及一种钙钛矿结构的太阳能电池及其制备方法。首先是在FTO导电玻璃上先沉积一层氧化钛或氧化锌n型致密层,然后再沉积氧化铝阻挡层,接着制备一层杂化钙钛矿结构CH3NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>,继续沉积氧化铝绝缘层,再然后沉积有机P型层,最后沉积金属电极层。其中,阻挡层和绝缘层包裹着钙钛矿CH3NH3PbI3形成三明治保护结构,有效提高钙钛矿电池的稳定性。
申请公布号 CN104183697B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201410419148.9 申请日期 2014.08.25
申请人 常州大学 发明人 袁宁一;吕明航;丁建宁;董旭
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种钙钛矿结构的太阳能电池的制备方法,所述太阳能电池从下至上由FTO导电玻璃层、n型致密层、阻挡层、杂化钙钛矿结构的CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>层、绝缘层、P型层和金属电极组成,阻挡层和绝缘层包裹着杂化钙钛矿结构的CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>形成三明治保护结构,其特征在于步骤如下:(1)n型致密层的制备在镀了掺氟氧化锡的玻璃(FTO)上,用原子层沉积(ALD)技术生长20‑30nm厚的致密的TiO<sub>2</sub>或ZnO层作为n型层;(2)阻挡层的制备在n型致密层上利用ALD技术在150‑250℃生长1‑5nm厚的均匀致密的超薄Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜;(3)溶液法制备杂化钙钛矿层在手套箱中,将配制好的钙钛矿前驱体溶液旋涂在阻挡层上,然后在加热板上退火处理;(4)绝缘层的制备钙钛矿薄膜冷却到室温下后,通过ALD技术在50‑100℃低温下利用臭氧沉积均匀致密的超薄Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜,层厚为1‑5nm;利用臭氧和三甲基铝作为源的低温生长工艺为:腔室反应温度60‑80℃,通三甲基铝源时间400‑800ms,氮气清洗10‑30s,通臭氧400‑800ms,氮气清洗10‑30s,重复上述过程15‑70次;(5)P型层的制备在手套箱中,将事先配制好的spiro‑OMeTAD溶液旋涂到绝缘层上,控制旋速与spiro‑OMeTAD溶液的量,控制厚度在100nm,70℃环境烘20min后,过夜放置;(6)金属电极制备将准备好的基底迅速放入真空蒸发镀膜仪器中,真空度达1×10<sup>‑3</sup>Pa,通过控制蒸发金属的量来控制蒸发银的厚度为100‑130nm。
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