异质结双极晶体管装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种异质结双极晶体管（HBT）装置及其制造方法。异质结双极晶体管（HBT）装置包括：设置在结晶硅层中的n型集电极区域；包括硼掺杂的硅锗晶体的p型本征基极，硼掺杂的硅锗晶体设置在由浅沟槽隔离体（STI）划界的下层结晶Si层的顶表面上，并在下层结晶Si层与浅沟槽隔离体（STI）的界面上形成有角度的小面；富Ge的结晶硅锗层，其设置在p型本征基极的有角度的小面上，而不设置在p型本征基极的顶表面上；以及n型结晶发射极，其设置在p型本征基极的顶表面上，而不在p型本征基极的有角度的小面上。

主权项

一种异质结双极晶体管装置，包括：n型集电极区域，设置在由浅沟槽隔离体划界的结晶基板层中；p型本征基极，包括硅锗(SiGe)晶体，该硅锗晶体设置在所述结晶基板层的顶表面上并在所述结晶基板层与所述浅沟槽隔离体的界面上形成有角度的小面；富Ge的Si_1‑x2Ge_x2结晶层，设置在所述硅锗晶体的所述有角度的小面上，而不设置在所述硅锗晶体的顶表面上；以及n型扩散掺杂的结晶发射极，设置在所述硅锗晶体的所述顶表面上，而不设置在所述硅锗晶体的所述有角度的小面上。