| 发明名称 | 等离子体处理装置及其中使用的排气结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置，在对载置台施加高功率的高频电力的情况下，有效地防止等离子体侵入排气部和挡板上方放电变得不稳定。该等离子体处理装置对于在处理室(4)内载置于载置台(23)的载置面上的基板(G)，在对载置台(23)施加高频偏压的同时进行等离子体处理，其包括设置在排气口(30)部分的第一开口挡板(34)和第二开口挡板(35)，第一开口挡板(34)设置在排气路径下游侧，第二开口挡板(35)设置在排气路径上游侧，第一开口挡板(34)被接地，第二开口挡板(35)处于电浮置状态，第一和第二开口挡板(34、35)以可在它们之间生成稳定放电的间隔设置。 | ||
| 申请公布号 | CN106328473A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610516168.7 | 申请日期 | 2016.07.01 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 宇津木康史;东条利洋;山涌纯;藤永元毅 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;邸万杰 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理室，其用于收纳基板并对该基板实施等离子体处理；载置台，其具有在所述处理室内载置基板的载置面；对所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；对所述处理室内进行排气的排气部；等离子体生成机构，其生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；用于对所述载置台施加偏置用高频电力的高频电源；和设置在从所述处理室去往所述排气部的排气口部分或其附近的、具有多个开口的第一开口挡板和第二开口挡板，所述第一开口挡板设置在排气路径的下游侧，所述第二开口挡板设置在排气路径的上游侧，所述第一开口挡板和所述第二开口挡板均由导电性材料构成，所述第一开口挡板被接地，所述第二开口挡板处于电浮置状态，所述第一开口挡板和所述第二开口挡板以可在它们之间生成稳定放电的间隔设置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||