半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有金属互连层、覆盖所述金属互连层表面的隔离层、覆盖所述隔离层表面的半导体层、以及贯穿所述半导体层、隔离层并暴露出金属互连层的开口；形成覆盖所述半导体层表面、开口的侧壁和底部的绝缘层；采用溅射工艺形成位于所述绝缘层表面的金属掩膜层，所述金属掩膜层暴露出开口底部的绝缘层；以所述金属掩膜层为掩膜刻蚀所述绝缘层形成侧墙层，所述侧墙层暴露出开口底部的金属互连层；形成侧墙层后，在所述开口内形成导电插塞，所述导电插塞的底部与金属互连层电连接。所述金属掩膜层可有效保护半导体层不被破坏，形成的半导体器件，例如惯性传感器的性能优越。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有金属互连层、覆盖所述金属互连层表面的隔离层、覆盖所述隔离层表面的半导体层、以及贯穿所述半导体层、隔离层并暴露出金属互连层的开口；形成覆盖所述半导体层表面、开口的侧壁和底部的绝缘层；采用溅射工艺形成位于所述绝缘层表面的金属掩膜层，所述金属掩膜层暴露出开口底部的绝缘层；以所述金属掩膜层为掩膜刻蚀所述绝缘层形成侧墙层，所述侧墙层暴露出开口底部的金属互连层；形成侧墙层后，在所述开口内形成导电插塞，所述导电插塞的底部与金属互连层电连接。