发明名称 带内置光栅半导体激光器
摘要 本发明提供一种内置光栅半导体激光器,包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层,其中上波导层包括第一上波导层和第二上波导层,第一上波导层为有源层的上一层,第二上波导层为上包层的下一层,且第一上波导层与第二上波导层之间设置有光栅层。本发明通过在第一上波导层与第二上波导层之间设置光栅层,可以大大提高半导体激光器的光谱质量和温度稳定性,并且可以降低激光器的功耗和体积。
申请公布号 CN106329312A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201610945233.8 申请日期 2016.11.02
申请人 中国电子科技集团公司第四十四研究所 发明人 廖柯
分类号 H01S5/12(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I 主分类号 H01S5/12(2006.01)I
代理机构 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 代理人 江涛
主权项 一种内置光栅半导体激光器,其特征在于,包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层,其中所述上波导层包括第一上波导层和第二上波导层,所述第一上波导层为所述有源层的上一层,所述第二上波导层为所述上包层的下一层,且所述第一上波导层与所述第二上波导层之间设置有光栅层。
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