电阻式存储器装置的写入方法

摘要

本发明提供一种电阻式存储器装置的写入方法。此方法接收逻辑数据，并选择对应的选择存储单元。接着，判断逻辑数据的逻辑电平。当逻辑数据为第一逻辑电平时，在写入期间，先提供重置脉冲至选择存储单元，再提供小于参考写入电流且脉冲宽度为类矩脉冲宽度的设定脉冲至选择存储单元。当逻辑数据为第二逻辑电平时，在写入期间，先提供重置脉冲至选择存储单元，再提供大于参考写入电流且脉冲宽度为类矩脉冲宽度的设定脉冲至选择存储单元。在高温环境下，可避免对应低电阻状态与高电阻状态的读取电流范围互相重叠，从而造成读取数据时对于逻辑电平的误判。

主权项

一种电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，包括：接收一逻辑数据，并选择对应的一选择存储单元；判断该逻辑数据的逻辑电平；当该逻辑数据为一第一逻辑电平时，在一写入期间，先提供一重置脉冲至该选择存储单元，再提供小于一参考写入电流且脉冲宽度为一类矩脉冲宽度的一设定脉冲至该选择存储单元；以及当该逻辑数据为一第二逻辑电平时，在该写入期间，先提供该重置脉冲至该选择存储单元，再提供大于该参考写入电流且脉冲宽度为该类矩脉冲宽度的一设定脉冲至该选择存储单元。