发明名称 低温多晶硅薄膜及其制备方法及显示装置
摘要 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜制备方法,包括以下步骤:在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜;用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面,以使所述保温层的温度周期性分布;对所述非晶硅薄膜进行激光照射,使得所述非晶硅薄膜晶化。上述低温多晶硅薄膜的制作方法制备出的低温多晶硅薄膜晶粒尺寸大,分布均匀,具有优良的电学性能。此外,该方法充分利用了准分子激光能量,有利于降低生产成本,利于实现大规模低成本生产。
申请公布号 CN106328497A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201610970309.2 申请日期 2016.10.28
申请人 昆山国显光电有限公司 发明人 王鹏
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 唐清凯
主权项 一种低温多晶硅薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在透光基板的上面沉积保温层以及在所述保温层的表面沉积非晶硅薄膜;用红外光线以至少一个聚光形式照射于所述透光基板的下表面,以使所述保温层的温度周期性分布;对所述非晶硅薄膜进行激光照射,使得所述非晶硅薄膜晶化。
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