| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的载流子迁移率，并能减小PMOS器件区域的压应力，保证PMOS器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106328501A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510351481.5 | 申请日期 | 2015.06.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;刘金彪;高建峰;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;江怀勤 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||