发明名称 采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线
摘要 采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线,涉及天线领域。本发明是为了解决在保留传统平衡对拓维瓦尔第天线低交叉极化的优点的同时,解决传统平衡维瓦尔第天线的非对称性,所导致天线E面主瓣偏移的问题。每层地板金属层附着在1层介质基板层的下表面,导体金属层附着在位于下层的介质基板层的上表面,导体金属层和地板金属层分别向两侧延展形成金属臂,地板金属层金属臂与导体金属层金属臂成对称结构,金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构,剔除位于导体金属层的内侧曲线和下层地板金属层的内侧曲线之间的下层介质基板层,且剔除后的下层介质基板层比地板金属层的内侧曲线多出一段介质。它用于工作在10‑40GHz的工作频率内。
申请公布号 CN106329081A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201610990082.8 申请日期 2016.11.10
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 王楠楠;房牧;陈悦
分类号 H01Q1/36(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I;H01Q13/08(2006.01)I 主分类号 H01Q1/36(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 刘士宝
主权项 采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线,其特征在于,它包括1层导体金属层(1)、2层地板金属层(2)和2层介质基板层(3),2层介质基板层(3)的结构相同,2层介质基板层(3)沿竖直方向组装在一起构成天线,每层地板金属层(2)附着在1层介质基板层(3)的下表面,导体金属层(1)附着在位于下层的介质基板层(3)的上表面,导体金属层(1)和地板金属层(2)分别向两侧延展形成金属臂,且下层上的地板金属层(2)所形成的金属臂与导体金属层(1)所形成的金属臂相对于天线轴线成对称结构,2层地板金属层(2)所形成的金属臂结构相同,在金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构,导体金属层(1)的外侧曲线Y<sub>外侧</sub>和内侧曲线Y<sub>内侧</sub>沿着该金属层的槽线进行延长,由带状线延长成微带线结构,位于下层的地板金属层(2)的外侧曲线和内测曲线包裹着导体金属层(1)的带状线和微带线进行延长,剔除位于导体金属层(1)的内侧曲线和下层地板金属层(2)的内侧曲线之间的下层介质基板层(3),且剔除后的下层介质基板层(3)比地板金属层的内侧曲线多出一段介质,位于介质窄口处的介质基板层(3)曲线与导体金属层(1)内侧曲线Y<sub>内侧</sub>一致,位于介质宽口处的介质基板层(3)曲线比下层地板金属层(2)的内测曲线Y<sub>内侧</sub>多出一段宽度为W<sub>A</sub>的等宽介质基板层,且上层介质基板层(3)的结构与底层介质基板层(3)的结构相同。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
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