可磁调控分光比的单模光纤耦合器

摘要

本发明涉及一种可磁调控分光比的单模光纤耦合器，包括拉2×2单模光纤耦合器、四氟管、UV胶和磁流体，拉制两根单模光纤成两端大向中间变小的锥形结构，中间段形成直径不变一段耦合腰区，形成2×2单模光纤耦合器,2×2单模光纤耦合器的两根单模光纤穿入四氟管中，四氟管中注满磁流体，单模光纤耦合器的耦合腰区置于磁流体环境中，四氟管的两端用UV胶密封，磁流体包覆的耦合腰区置于外加磁场中实现磁调控分光比。通过外加磁场来调控磁性纳米粒子的分布和排列，改变磁流体的折射率，从而实现对单模光纤耦合器分光比的在线、实时调谐。制作工艺简单、成本低廉、调谐线性度高。

主权项

一种可磁调控分光比的单模光纤耦合器，其特征在于，包括拉2×2单模光纤耦合器、四氟管、UV胶和磁流体，拉制两根单模光纤成两端大向中间变小的锥形结构，中间段形成直径不变一段耦合腰区，形成2×2单模光纤耦合器,2×2单模光纤耦合器的两根单模光纤穿入四氟管中，四氟管中注满磁流体，单模光纤耦合器的耦合腰区置于磁流体环境中，四氟管的两端用UV胶密封，磁流体包覆的耦合腰区置于外加磁场中实现磁调控分光比。