发明名称 一种甘薯化学消毒组培方法
摘要 本发明涉及一种甘薯的化学消毒组培方法,包括培养容器消毒、培养基配制、茎尖诱导培养、增殖培养、生根培养和瓶苗移栽。本发明的甘薯化学消毒组培方法,利用化学试剂达到灭菌或抑菌的目的,在配制培养基的过程中,培养容器和培养基都无需高温高压灭菌,减少了工作量和能源消耗,简化了甘薯组培环节;并且操作简单,只要按不同的培养基配方配制即可;实用性强,推广性好,还可以有效降低甘薯的组培成本,一般可降低成本10%以上。
申请公布号 CN104885939B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201510273926.2 申请日期 2015.05.26
申请人 福建农林大学 发明人 袁照年;林庆良
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 代理人 陈智雄;黄秀婷
主权项 一种甘薯化学消毒组培方法,包括培养容器消毒、培养基配制、茎尖诱导培养、增殖培养、生根培养和瓶苗移栽,其特征在于:(1)培养容器消毒:将培养瓶、瓶盖及接种用的不锈钢盘在100mg/L次氯酸钠+10mg/L乳酸链球菌素+100mg/L丙酸钙的水溶液中浸泡不少于10h,保存备用;(2)培养基配制:茎尖诱导培养基为MS+0.2~0.8mg/L 6‑BA+0.1~0.5mg/L IAA+50~100mg/L次氯酸钠+1~2mg/L青霉素+10~50mg/L丙酸钙+20g/L蔗糖+3.5g/L琼脂粉,pH5.8;增殖培养基为:1/2MS+50~100mg/L次氯酸钠+1~2mg/L青霉素+10~50mg/L丙酸钙+20g/L蔗糖+3.5g/L琼脂粉,pH5.8;生根培养基为1/2MS+0.1~0.8mg/L NAA+50~100mg/L次氯酸钠+1~2mg/L青霉素+10~50mg/L丙酸钙+20g/L蔗糖+3.5g/L琼脂粉,pH5.8;所述MS为1962年,Murashige和Skoog公开的MS培养基;所述6‑BA,指6‑苄氨基嘌呤;所述NAA,指〆‑萘乙酸;所述IAA,指吲哚乙酸;配制培养基时,先称各培养基配方中蔗糖和琼脂粉,加培养基总体积1/2的自来水,加热至琼脂粉完全溶解,再按各培养基配方配齐其他原料后,定容,然后用1mol/L的NaOH或1mol/L的HCl调pH值至5.8,分装到消毒过的培养容器中,封口,冷却凝固后备用;(3)茎尖诱导培养:选取健康无病斑的薯块洗净后,用消毒湿砂覆埋于25℃黑暗催芽,当芽露出砂面后38一40℃热处理7d;剪取生长旺盛的茎尖3—5cm;在室内切去叶片,用自来水冲洗20~30min,在体积比为75%的酒精中浸泡30s,用重量比为0.1%的升汞溶液消毒8min,取出后,用无菌水冲洗3次,然后在解剖镜下剥取带1~2个叶原基、长0.2~0.3mm的茎尖,接种于茎尖诱导培养基上培养30d,获得的无菌苗;培养室温度为26℃,光照12h,光照强度为2000~3000lx;(4)增殖培养:将诱导培养获得的无菌苗切成长1.0~1.5cm、带单个腋芽的茎段,接种到增殖培养基中,培养4周成为不具根的小苗,每30d转接一次;培养室温度为26℃,光照12h,光照强度为2000~3000lx;(5)生根培养:将增殖苗切成长1.0~1.5cm、带单个腋芽的茎段,接种到生根培养基上,培养25d后成为完整植株;培养室温度为25℃,光照16h,光照强度为2000~3000lx;(6)瓶苗移栽:将生根培养获得的完整植株取出,洗净根部的培养基,用800倍的多菌灵浸泡30min后移栽至大棚的耕作土中,大棚上层用遮光网遮盖,移栽的环境温度为22~28℃。
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