| 摘要 |
본 기술은 프로그램된 페이지들과 프로그램되지 않은 페이지들이 포함된 메모리 블록; 상기 메모리 블록의 리드 동작을 수행하도록 구성된 주변 회로; 및 상기 리드 동작 수행시, 상기 페이지들 중 선택된 페이지에 연결된 워드 라인에 리드 전압이 인가되고, 상기 프로그램된 페이지들에 연결된 워드 라인들에 제1 패스 전압이 인가되고, 상기 프로그램되지 않은 워드 라인들에는 상기 제1 패스 전압보다 낮은 제2 패스 전압이 인가되도록 상기 주변 회로를 제어하는 제어 회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법을 포함한다. |
