发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE
摘要 [과제] 규소함유막을 사용한 반도체 장치기판의 제조방법에 있어서, 이온주입에 사용한 마스크를 박리액으로 용이하고 또한 기판에 데미지를 주지 않고 습식박리할 수 있는 반도체 장치기판의 제조방법을 제공한다. [해결수단] (1) 기판 상에 형성한 유기하층막 상에 규소함유량이 1~30질량%인 규소함유막을 형성하는 공정, (2) 규소함유막 상에 레지스트막을 형성하는 공정, (3) 레지스트막을 노광, 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정, (4) 레지스트 패턴을 마스크로 하여 규소함유막에 패턴을 전사하는 공정, (5) 규소함유막을 마스크로 하여 유기하층막에 패턴을 전사하고, 규소함유막의 일부 또는 전부를 유기하층막 상에 남기는 공정, (6) 유기하층막을 마스크로 하여 기판에 이온을 주입하는 공정, 및 (7) 이온주입의 마스크로서 사용된 규소함유막의 일부 또는 전부가 남은 유기하층막을 박리액으로 박리하는 공정을 포함하는 반도체 장치기판의 제조방법.
申请公布号 KR101694902(B1) 申请公布日期 2017.01.10
申请号 KR20150121648 申请日期 2015.08.28
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 오기하라, 츠토무;코리, 다이스케;타네다, 요시노리;비야지마, 유스케;키쿠치, 리에;타치바나, 세이이치로
分类号 H01L21/027;H01L21/033;H01L21/265;H01L21/3065;H01L29/78 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
地址