| 摘要 |
본 발명은, 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 타이타늄(Ti)의 제 1 전극; 쇼트키 장벽층을 형성하기 위한 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에, 산소 결핍 하프늄 산화막(HfO, 0<x<2), 상기 산소 결핍 하프늄 산화막과 상기 제 1 전극 사이의 산소 결핍 타이타늄 산화막(TiO), 및 상기 산소 결핍 하프늄 산화막과 상기 제 2 전극 사이의 화학양론적 탄탈륨 산화막(TaO)을 갖는 적층 구조를 포함하는 가변 저항체가 제공될 수 있다. |
