| 摘要 |
3차원 메모리 구조를 제조하는 방법은, 어레이 스택을 형성하는 단계, 어레이 스택 위에 희생 재료의 층을 생성하는 단계, 희생 재료의 층 및 어레이 스택을관통하여 홀을 에칭하는 단계, 홀에 반도체 재료의 필러(pillar)를 생성하여, 필러를 공통 바디로서 사용하는 적어도 2개의 수직 스택형(stacked) 플래시 메모리 셀들을 형성하는 단계, 필러 주위의 희생 재료의 층의 적어도 일부를 제거하여, 필러의 일부를 노출시키는 단계, 및 이러한 필러의 부분을 FET(Field Effect Transistor)의 바디로서 사용하는 FET를 형성하는 단계를 포함한다. |
