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发明名称 BACK DIFFUSION SUPPRESSION STRUCTURES
摘要 인핸스먼트형 GaN 트랜지스터로서, 상기 트랜지스터는, 기판, 천이층, 3족 나이트라이드 물질로 구성된 완충층, 3족 나이트라이드 물질로 구성된 장벽층, 드레인 콘택 및 소스 콘택, 억셉터형 도펀트 원소를 함유한 게이트, 및 상기 게이트와 버퍼층 사이에 있는 3족 나이트라이드 물질로 구성된 확산장벽을 가진다.
申请公布号 KR101694883(B1) 申请公布日期 2017.01.10
申请号 KR20117023110 申请日期 2010.04.07
申请人 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 发明人 비치, 로버트;자오, 구앙, 유안;카오, 지안준
分类号 H01L29/778;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/47;H01L29/66 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人
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