| 摘要 |
본 발명은 실리콘 기판 상에 화합물 반도체 에피층을 성장하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 상에 화합물 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서, 상기 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 사이에 탄성변형층의 형성과 열처리를 반복적으로 실시하여, 상기 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 간의 결함을 억제하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판 상에 결함이 억제된 화합물 반도체 에피층의 성장방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 사이에 탄성변형층의 형성과 열처리를 반복적으로 실시하여, 열처리 온도를 낮추고, 열처리 시간을 최소화하여 공정 시간을 단축시키며, 실리콘 기판과 화합물 반도체 에피층 간의 계면에서 나타나는 결함들 간의 상호작용을 유도함으로써, 결함을 억제하여 화합물 반도체 소자의 성능을 개선시키는 이점이 있다. |
