| 摘要 |
본 발명은 접속 패드들 (10) 을 가진 칩들 (1) 을 포함하는 리빌트 웨이퍼 (re-built wafer) 를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 방법은 다음 단계, - 칩들 (1) 의 제 1 웨이퍼를 제조하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 다음 단계들, - 상기 제 1 웨이퍼 상에서, 상기 칩들의 상호접속을 위하여 설계된 전도성 트랙들 (12) 상에 상기 칩들의 상기 접속 패드들 (10) 의 적어도 하나의 재분배 층 (layer of redistribution) 의 스택의 제조 단계로서, 이 스택은 메인 RDL (redistribution layer) 층 (14) 으로서 설계되는, 상기 스택의 제조 단계, - 개별적인 칩들 (1) 을 얻기 위하여 상기 제 1 웨이퍼를 절단하는 단계로서, 각각의 칩에는 상기 RDL 층 (14) 이 제공되는, 상기 절단하는 단계, - 후속 단계들 동안에 평편한 상태를 유지하도록 상기 RDL 층 (14) 을 갖는 상기 개별적인 칩들 (1) 을 충분한 강성의 지지부 (20) 에 이전하는 단계로서, 상기 지지부에는 접착제 층 (21) 이 제공되고 상기 접착제 층 (21) 상에 상기 RDL 층 (14) 이 있는, 상기 이전하는 단계, - 상기 칩들 (1) 을 캡슐화하기 위하여 수지 (30) 를 적층하는 단계, - 상기 수지를 중합하는 단계, - 상기 강성의 지지부 (20) 를 제거하는 단계, 및 - 상기 접착제 층 (21) 에 형성된 개구들 (22) 을 통하여 상호접속 콘택트들까지 상기 메인 RDL 층 (14) 의 전도성 트랙들을 접속하기 위하여 미니 RDL (24) 이라고 하는 단일의 재분배 층을 적층하는 단계로서, 상기 중합된 수지, 상기 RDL 층 (14) 을 갖는 상기 칩들, 및 상기 미니 RDL 을 포함하는 웨이퍼는 리빌트 웨이퍼 (100) 인, 상기 단일의 재분배 층을 적층하는 단계를 포함한다. |
