| 摘要 |
[과제] 본 발명은 고에너지선을 광원으로 한 포토리소그래피에 있어서 해상성, 특히 패턴 형상의 직사각형성이 우수하고, 또한 거칠기가 작은 양호한 패턴을 부여하며, 나아가서는 디펙트가 발현되기 어려운 레지스트 재료에 사용되는 술포늄염 및 이 술포늄염을 함유하는 레지스트 재료 및 그 레지스트 재료를 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. [해결수단] 하기 일반식(1a)로 나타내어지는 술포늄염.(식에서, R 및 R은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 헤테로 원자로 치환되어 있더라도 좋고, 헤테로 원자가 개재하더라도 좋은 탄소수 1∼30의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 1가 탄화수소기를 나타낸다) |
